Modelado de gran señal de transistores para alta frecuencia (HEMTs)

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Título :	Modelado de gran señal de transistores para alta frecuencia (HEMTs)
Autor :	Universidad Don Bosco
Palabras clave :	Científica Señales Transistores Alta Frecuencia
Fecha de publicación :	17-mar-2015
Editorial :	Editorial Universidad Don Bosco
Descripción :	En este trabajo se presenta una solución relativamente sencilla y precisa al problema de simular el comportamiento de un determinado HEMT cuando éste trabaja en una aplicación de gran señal. La solución consiste en el uso de un "modelo por tablas", es decir, que cada parámetro esta definido por una lista de valores que dependen de Vgs y Vds. Estos valores se han de determinar por medio de un procedimiento que toma en consideración algunos problemas técnicos típicos en este tipo de aplicaciones. Como comprobación de la utilidad del modelo se han comparado los resultados obtenidos del análisis realizado por medio de un programa de simulación a un mezclador para 10 HGz., donde para describir HEMT se ha usado el modelo presentado, con los resultados obtenidos de mediciones hechas al mezclador real.
URI :	http://hdl.handle.net/10972/2123
Otros identificadores :	Rivas, Wenceslao. (Mayo, 2000). Modelado de gran señal de transistores para alta frecuencia (HEMTs). Científica, No. 1, p. 9-14. ISSN: 1814-6309 1814-6309 http://hdl.handle.net/123456789/1098
Aparece en las colecciones:	Revista Científica No. 01, mayo 2000 (UDB)

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